Kajian pencirian elektrik bagi simpang p-n filem nipis polimer berpengalir

Abstract

Poli (3-Tiofena Asid Asetik) (P3TAA) adalah polimer berpengalir yang bersifat semikonduktor. Kajian ini mengkaji pencirian elektrik bagi simpang p-n terhadap filem nipis polimer berpengalir. Secara jelasnya, pencirian optik, nilai kekonduksian, pencirian lengkung 1-V, serta pencirian morfologi dikaji dalam kajian ini. Peranti ITO/P3TAA/AI juga dihasilkan dalam kajian ini. Filem nipis P3TAA dihasilkan menggunakan alat penyalut berputar. Pengimbas Mikroskop Elektron (SEM) digunakan untuk melihat morfologi permukaan filem nipis P3TAA. Nilai serapan optik bagi P3TAA dikesan menggunakan spektrofotometer. Alat penduga empat titik digunakan untuk mendapatkan nilai arus dan voltan bagi menentukan nilai kekonduksian. Lengkung 1-V peranti ITO/P3T AA/ Al diperolehi menggunakan alat pengukuran keelektrikan. Ketebalan filem nipis P3TAA adalah (0.945 ± 0.110) nm.