Abstract:
Poli (3-tiopena asid asetik) (P3T AA) adalah dianggap sebagai bahan pemancar yang
paling sesuai kerana kestabilannya yang tinggi dan ciri-ciri luminositi fluksnya dalam
molekul dan sesuai untuk diaplikasikan dalam pelbagai bidang termasuk bidang sensor
cahaya ataupun sel solar. Kajian ini bertujuan untuk menyediakan dan mencirikan filem
nipis campuran P3TAA+Klo sebagai sensor cahaya. Ia meliputi proses penyediaan filem
nipis campuran P3TAA+Klo melalui kaedah elektrokimia dengan menggunakan alat
Elektrokimia Impedans Spektroskopi (EIS). Filem nipis campuran P3TAA+Klo yang
terhasil dikaji dalam aspek sifat elektriknya .. Alat Penduga Empat Titik digunakan untuk
mendapatkan nilai voltan filem nipis campuran P3TAA+Klo bagi menghasilkan nilai
kekonduksian. Kekonduksian filem nipis campuran P3TAA+Klo di dalam gelap adalah
5 x 1 o-
6
S/m dan di bawah cahaya nampak pula nilai kekonduksian ialah 9 .28 x 1 o-
6
S/m .. Berdasarkan graf dapat dibuktikan bahawa kekonduksian gabungan filem nipis
campuran P3TAA+Klo semakin meningkat apabila keamatan cahaya turut bertambah
tetapi dalam julat yang kecil. Oleh itu, gabungan filem nipis campuran P3TAA+Klo
adalah sesuai digunakan sebagai sensor cahaya ataupun dalam sel solar pada keamatan
cahaya nampak di sekitar 10 hingga 50 W/m
2
.
Dicadangkan juga pendopan ditambah
pada gabungan campuran P3T AA+Klo untuk meningkatkan ciri-ciri kekonduksian,
kandungan dan jenis pembawa cas serta menambahkan lagi julat keamatan cahaya pada
kadar yang lebih tinggi untuk menghasilkan nilai kekonduksian yang lebih tinggi untuk
digunakan sebagai sensor peka cahaya.
